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AT45DB321E-MWHF-Y

AT45DB321E-MWHF-Y

참조 용

부품 번호 AT45DB321E-MWHF-Y
PNEDA 부품 번호 AT45DB321E-MWHF-Y
설명 IC FLASH 32M SPI 85MHZ 8VDFN
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,536
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예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT45DB321E-MWHF-Y 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DB321E-MWHF-Y
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DB321E-MWHF-Y, AT45DB321E-MWHF-Y 데이터 시트 (총 페이지: 70, 크기: 2,489.09 KB)
PDFAT45DB321E-CCUF-T 데이터 시트 표지
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AT45DB321E-MWHF-Y 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수85MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8µs, 4ms
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-VDFN (6x8)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

MT49H32M18SJ-25:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-FBGA (18.5x11)

A2C00051729 A

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DS2433X#T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 16)

메모리 인터페이스

1-Wire®

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2µs

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

6-FlipChip (2.82x2.54)

IS61NVF51236-7.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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