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AT45DQ161-SHFHJ-T

AT45DQ161-SHFHJ-T

참조 용

부품 번호 AT45DQ161-SHFHJ-T
PNEDA 부품 번호 AT45DQ161-SHFHJ-T
설명 IC FLASH 16M SPI 100MHZ 8SOIC
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
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예상 배송 9월 23 - 9월 28 (신속 배송 선택)
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AT45DQ161-SHFHJ-T 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DQ161-SHFHJ-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DQ161-SHFHJ-T, AT45DQ161-SHFHJ-T 데이터 시트 (총 페이지: 82, 크기: 2,714.27 KB)
PDFAT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 표지
AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 2 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 3 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 4 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 5 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 6 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 7 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 8 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 9 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 10 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 11

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AT45DQ161-SHFHJ-T 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수85MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8µs, 6ms
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74A, SOT-753

공급자 장치 패키지

SOT-23-5

MT41K2G4RKB-107:N

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

8Gb (2G x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (8x10.5)

71V65603S133PFG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

S29PL064J60BAI120A

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

PL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64M (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

60ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8.15x6.15)

70V639S10PRFG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

2.25Mb (128K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

128-LQFP

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