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AT45DQ321-CCUD-T

AT45DQ321-CCUD-T

참조 용

부품 번호 AT45DQ321-CCUD-T
PNEDA 부품 번호 AT45DQ321-CCUD-T
설명 IC FLASH 32M SPI 104MHZ 9UBGA
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT45DQ321-CCUD-T 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DQ321-CCUD-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DQ321-CCUD-T, AT45DQ321-CCUD-T 데이터 시트 (총 페이지: 82, 크기: 2,728.2 KB)
PDFAT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 표지
AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 2 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 3 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 4 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 5 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 6 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 7 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 8 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 9 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 10 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 11

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  • AT45DQ321-CCUD-T Distributor

AT45DQ321-CCUD-T 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8µs, 4ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스9-UBGA
공급자 장치 패키지9-UBGA (6x6)

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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메모리 유형

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시계 주파수

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25LC128T-E/SM

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIJ

MT53D768M64D8SQ-053 WT:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

48Gb (768M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

556-VFBGA

공급자 장치 패키지

556-VFBGA (12.4x12.4)

7016S12PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

144Kb (16K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

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패키지 / 케이스

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