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AT45DQ321-SHD-B

AT45DQ321-SHD-B

참조 용

부품 번호 AT45DQ321-SHD-B
PNEDA 부품 번호 AT45DQ321-SHD-B
설명 IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT45DQ321-SHD-B 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DQ321-SHD-B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DQ321-SHD-B, AT45DQ321-SHD-B 데이터 시트 (총 페이지: 82, 크기: 2,728.2 KB)
PDFAT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 표지
AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 2 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 3 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 4 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 5 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 6 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 7 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 8 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 9 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 10 AT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 페이지 11

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  • AT45DQ321-SHD-B Distributor

AT45DQ321-SHD-B 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8µs, 4ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Alliance Memory, Inc.

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메모리 포맷

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기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-VLGA

공급자 장치 패키지

52-VLGA (18x14)

M58LR256KT70ZC5F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

79-VFBGA

공급자 장치 패키지

79-VFBGA (9x11)

BR24G04FVT-3GE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP-B

IS43LR32160B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

512Mb (16M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

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장착 유형

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