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AT49F001N-12TC

AT49F001N-12TC

참조 용

부품 번호 AT49F001N-12TC
PNEDA 부품 번호 AT49F001N-12TC
설명 IC FLASH 1M PARALLEL 32TSOP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 3,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT49F001N-12TC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT49F001N-12TC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT49F001N-12TC, AT49F001N-12TC 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 208.25 KB)
PDFAT49F001N-90VI 데이터 시트 표지
AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 2 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 3 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 4 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 5 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 6 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 7 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 8 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 9 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 10 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 11

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  • AT49F001N-12TC Distributor

AT49F001N-12TC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs
접근 시간120ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지32-TSOP

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시리즈

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메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AT49BV1604AT-70TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.65V ~ 3.3V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

MT49H16M36FM-18:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (16M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

15ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-µBGA (18.5x11)

IS61LPS12836A-200B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BBGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (4G x 1)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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