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AT49F001NT-55VI

AT49F001NT-55VI

참조 용

부품 번호 AT49F001NT-55VI
PNEDA 부품 번호 AT49F001NT-55VI
설명 IC FLASH 1M PARALLEL 32VSOP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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AT49F001NT-55VI 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT49F001NT-55VI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT49F001NT-55VI, AT49F001NT-55VI 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 208.25 KB)
PDFAT49F001N-90VI 데이터 시트 표지
AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 2 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 3 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 4 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 5 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 6 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 7 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 8 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 9 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 10 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 11

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AT49F001NT-55VI 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs
접근 시간55ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지32-VSOP

관심을 가질만한 제품

CY14B104LA-ZS45XI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

R1LP5256ESP-7SR#S0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOP

MT47H256M8THN-25E:H

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-TFBGA

공급자 장치 패키지

63-FBGA (8x10)

MT53B128M32D1Z00NWC2 AT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS61LF51236A-6.5B2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BBGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

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