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AT49F040A-55JU-T

AT49F040A-55JU-T

참조 용

부품 번호 AT49F040A-55JU-T
PNEDA 부품 번호 AT49F040A-55JU-T
설명 IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC
제조업체 Microchip Technology
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AT49F040A-55JU-T 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT49F040A-55JU-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT49F040A-55JU-T, AT49F040A-55JU-T 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 266.66 KB)
PDFAT49F040A-70TU-T 데이터 시트 표지
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AT49F040A-55JU-T 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지40µs
접근 시간55ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지32-PLCC (13.97x11.43)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1.5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x5)

AS8C401801-QC166N

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ns

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-WFBGA

공급자 장치 패키지

200-WFBGA (10x14.5)

IS43R86400E-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TFBGA (13x8)

BR24G256-3A

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP-T

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