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AT49LH002-33JC-T

AT49LH002-33JC-T

참조 용

부품 번호 AT49LH002-33JC-T
PNEDA 부품 번호 AT49LH002-33JC-T
설명 IC FLASH 2M PARALLEL 32PLCC
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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AT49LH002-33JC-T 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT49LH002-33JC-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT49LH002-33JC-T, AT49LH002-33JC-T 데이터 시트 (총 페이지: 36, 크기: 568.21 KB)
PDFAT49LH002-33TC-T 데이터 시트 표지
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AT49LH002-33JC-T 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수33MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs
접근 시간-
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지32-PLCC (13.97x11.43)

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메모리 유형

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메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

300µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x5)

GD25D05CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Dual I/O

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-USON (2x3)

70V28L15PFG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

IDT71V65602S100BQ8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

70V28VL20PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

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