AT49LV001-90VI
참조 용
| 부품 번호 | AT49LV001-90VI |
| PNEDA 부품 번호 | AT49LV001-90VI |
| 설명 | IC FLASH 1M PARALLEL 32VSOP |
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,970 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AT49LV001-90VI 리소스
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AT49LV001-90VI 사양
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH |
| 메모리 크기 | 1Mb (128K x 8) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 50µs |
| 접근 시간 | 90ns |
| 전압-공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TC) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 32-VSOP |
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제조업체 Sharp Microelectronics 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH 메모리 크기 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 56-TSOP |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3.1ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-TBGA 공급자 장치 패키지 165-TFBGA (13x15) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 GL-S 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 60ns 접근 시간 100ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 64-LBGA 공급자 장치 패키지 64-FBGA (9x9) |
