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AUIRS20162STR

AUIRS20162STR

참조 용

부품 번호 AUIRS20162STR
PNEDA 부품 번호 AUIRS20162STR
설명 IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,550
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AUIRS20162STR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AUIRS20162STR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
AUIRS20162STR, AUIRS20162STR 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 542.37 KB)
PDFAUIRS20162STR 데이터 시트 표지
AUIRS20162STR 데이터 시트 페이지 2 AUIRS20162STR 데이터 시트 페이지 3 AUIRS20162STR 데이터 시트 페이지 4 AUIRS20162STR 데이터 시트 페이지 5 AUIRS20162STR 데이터 시트 페이지 6 AUIRS20162STR 데이터 시트 페이지 7 AUIRS20162STR 데이터 시트 페이지 8 AUIRS20162STR 데이터 시트 페이지 9 AUIRS20162STR 데이터 시트 페이지 10 AUIRS20162STR 데이터 시트 페이지 11

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  • AUIRS20162STR Distributor

AUIRS20162STR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.4V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)250mA, 250mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)150V
상승 / 하강 시간 (일반)200ns, 200ns
작동 온도-55°C ~ 155°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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구동 구성

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채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

100V

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-QFN (3x3)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4.5A, 4.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MIC4422AZN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 24ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

TC1427EPA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2A, 1.2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

MAX17603ASA+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2V, 4.25V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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