AUIRS20162STR
참조 용
| 부품 번호 | AUIRS20162STR |
| PNEDA 부품 번호 | AUIRS20162STR |
| 설명 | IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,550 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 20 - 3월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AUIRS20162STR 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AUIRS20162STR |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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AUIRS20162STR 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q100 |
| 구동 구성 | High-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.4V ~ 20V |
| 논리 전압-VIL, VIH | - |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 250mA, 250mA |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 150V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 200ns, 200ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 9A, 9A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 60ns, 60ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
