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AUIRS2332J

AUIRS2332J

참조 용

부품 번호 AUIRS2332J
PNEDA 부품 번호 AUIRS2332J
설명 IC DRVR BRIDGE 3-PHASE 44PLCC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,204
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 2 - 4월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AUIRS2332J 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AUIRS2332J
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
AUIRS2332J, AUIRS2332J 데이터 시트 (총 페이지: 36, 크기: 1,175.76 KB)
PDFAUIRS2332J 데이터 시트 표지
AUIRS2332J 데이터 시트 페이지 2 AUIRS2332J 데이터 시트 페이지 3 AUIRS2332J 데이터 시트 페이지 4 AUIRS2332J 데이터 시트 페이지 5 AUIRS2332J 데이터 시트 페이지 6 AUIRS2332J 데이터 시트 페이지 7 AUIRS2332J 데이터 시트 페이지 8 AUIRS2332J 데이터 시트 페이지 9 AUIRS2332J 데이터 시트 페이지 10 AUIRS2332J 데이터 시트 페이지 11

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  • AUIRS2332J Distributor

AUIRS2332J 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성Half-Bridge
채널 유형3-Phase
드라이버 수6
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)250mA, 500mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)80ns, 40ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-LCC (J-Lead), 32 Leads
공급자 장치 패키지44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

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IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6609ACBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MCP14A0302T-E/MS

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

13ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

NCP81075MTTXG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-WDFN (4x4)

EL7243CMZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns (Max)

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

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