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AUXAKF1405ZS-7P

AUXAKF1405ZS-7P

참조 용

부품 번호 AUXAKF1405ZS-7P
PNEDA 부품 번호 AUXAKF1405ZS-7P
설명 MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AUXAKF1405ZS-7P 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AUXAKF1405ZS-7P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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AUXAKF1405ZS-7P 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs230nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5360pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)230W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

349W (Tc)

작동 온도

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.1W (Ta), 31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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FDD14AN06LA0

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ON Semiconductor

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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9.5A (Ta), 50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2810pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

390mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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-

전력 손실 (최대)

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