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BA12004BF-E2

BA12004BF-E2

참조 용

부품 번호 BA12004BF-E2
PNEDA 부품 번호 BA12004BF-E2
설명 TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,056
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA12004BF-E2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA12004BF-E2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
BA12004BF-E2, BA12004BF-E2 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 1,161.49 KB)
PDFBA12004BF-E2 데이터 시트 표지
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BA12004BF-E2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 350mA, 2V
전력-최대620mW
주파수-전환-
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOP

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전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 1V

전력-최대

500mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

TO-116

US6T9TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V

전력-최대

400mW

주파수-전환

320MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

UMT6

XP0650100L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SMINI6-G1

2N2453A

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

전력-최대

600mW

주파수-전환

60MHz

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-78-6 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-78-6

SG2003J-883B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

7 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

전력-최대

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주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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