BA158GPEHE3/54
참조 용
| 부품 번호 | BA158GPEHE3/54 |
| PNEDA 부품 번호 | BA158GPEHE3-54 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,092 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BA158GPEHE3/54 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BA158GPEHE3/54 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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BA158GPEHE3/54 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | SUPERECTIFIER® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 1A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 250ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-204AL (DO-41) |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 150A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.33V @ 150A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 24mA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AA, DO-8, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AA (DO-8) 작동 온도-접합 -40°C ~ 200°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 4A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 30pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SWITCHMODE™ 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 900V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.85V @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 900V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AA, DO-27, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
