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BA679S-GS08

BA679S-GS08

참조 용

부품 번호 BA679S-GS08
PNEDA 부품 번호 BA679S-GS08
설명 RF DIODE PIN 30V SOD80 MINIMELF
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,770
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA679S-GS08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA679S-GS08
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BA679S-GS08, BA679S-GS08 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 90.63 KB)
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  • BA679S-GS08 Distributor

BA679S-GS08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.5pF @ 0V, 100MHz
저항 @ If, F50Ohm @ 1.5mA, 100MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지SOD-80 MiniMELF

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현재-최대

350mA

커패시턴스 @ Vr, F

6.7pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

650mOhm @ 100mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

350mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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시리즈

POWERMITE®

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.6pF @ 100V, 1MHz

저항 @ If, F

1Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

PIN - PI Element

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.45pF @ 30V, 1MHz

저항 @ If, F

2Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

1.2Ohm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

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Broadcom Limited

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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