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BA779-2-HG3-18

BA779-2-HG3-18

참조 용

부품 번호 BA779-2-HG3-18
PNEDA 부품 번호 BA779-2-HG3-18
설명 RF DIODE PIN 30V SOT23-3
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA779-2-HG3-18 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA779-2-HG3-18
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
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BA779-2-HG3-18 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형PIN - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.5pF @ 0V, 100MHz
저항 @ If, F50Ohm @ 1.5mA, 100MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

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저항 @ If, F

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전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.1pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

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커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

10Ohm @ 5mA, 10kHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.8pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

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