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BA783S-G3-18

BA783S-G3-18

참조 용

부품 번호 BA783S-G3-18
PNEDA 부품 번호 BA783S-G3-18
설명 RF DIODE STANDARD 35V SOD323
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,676
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA783S-G3-18 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA783S-G3-18
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BA783S-G3-18, BA783S-G3-18 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 76.37 KB)
PDFBA783S-G3-08 데이터 시트 표지
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BA783S-G3-18 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대)35V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F1.2pF @ 3V, 1MHz
저항 @ If, F1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323

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100V

현재-최대

140mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 10mA, 100MHz

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커패시턴스 @ Vr, F

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저항 @ If, F

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작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.1pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

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작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.375pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

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150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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