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BAP50-03,115

BAP50-03,115

참조 용

부품 번호 BAP50-03,115
PNEDA 부품 번호 BAP50-03-115
설명 RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $0.0837
500 ---------- $0.0798
1,000 ---------- $0.0759
2,500 ---------- $0.0719
5,000 ---------- $0.0687
10,000 ---------- $0.0654
재고 있음 294,809
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예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP50-03 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP50-03,115
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP50-03, BAP50-03 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 165.73 KB)
PDFBAP50-03 데이터 시트 표지
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BAP50-03 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 5V, 1MHz
저항 @ If, F5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)500mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323

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STMicroelectronics

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

1500V

현재-최대

4A

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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HSMS-280N-TR1G

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Broadcom Limited

시리즈

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다이오드 유형

Schottky - 2 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

HSMS-282E-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

HSMS-2820-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HSMS-282M-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 2 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

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