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BAP50-04,215

BAP50-04,215

참조 용

부품 번호 BAP50-04,215
PNEDA 부품 번호 BAP50-04-215
설명 RF DIODE PIN 50V 250MW TO236AB
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,416
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP50-04 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP50-04,215
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP50-04, BAP50-04 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 167.01 KB)
PDFBAP50-04 데이터 시트 표지
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BAP50-04 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.5pF @ 5V, 1MHz
저항 @ If, F5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)250mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지TO-236AB (SOT23)

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35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 6V, 1MHz

저항 @ If, F

980mOhm @ 2mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HSMS-286F-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

HSMS-282L-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 3 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

HSMP-381C-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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