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BAP51-04W,115

BAP51-04W,115

참조 용

부품 번호 BAP51-04W,115
PNEDA 부품 번호 BAP51-04W-115
설명 RF DIODE PIN 50V 240MW SOT323-3
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $1.5624
250 ---------- $1.4891
500 ---------- $1.4159
1,000 ---------- $1.3427
2,500 ---------- $1.2816
5,000 ---------- $1.2206
재고 있음 1,176
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BAP51-04W 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP51-04W,115
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP51-04W, BAP51-04W 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 82.71 KB)
PDFBAP51-04W 데이터 시트 표지
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BAP51-04W 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 5V, 1MHz
저항 @ If, F2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)240mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323-3

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전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

180V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.3pF @ 40V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

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Broadcom

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Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Isolated

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

JDV2S09FSTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

10V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

11.1pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

fSC

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