BAP51L,315
참조 용
| 부품 번호 | BAP51L,315 |
| PNEDA 부품 번호 | BAP51L-315 |
| 설명 | RF DIODE PIN 60V 500MW DFN1006-2 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,582 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BAP51L 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BAP51L,315 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 다이오드-RF |
| 데이터 시트 |
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BAP51L 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | PIN - Single |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 60V |
| 현재-최대 | 100mA |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 0.3pF @ 5V, 1MHz |
| 저항 @ If, F | 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz |
| 전력 손실 (최대) | 500mW |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 패키지 / 케이스 | SOD-882 |
| 공급자 장치 패키지 | DFN1006-2 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Skyworks Solutions Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대) 2V 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F - 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Chip |
제조업체 Skyworks Solutions Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) - 현재-최대 200mA 커패시턴스 @ Vr, F 1.5pF @ 30V, 1MHz 저항 @ If, F 750mOhm @ 50mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 2W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 패키지 / 케이스 2-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 2-QFN (2x2) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - 2 Independent 전압-피크 역방향 (최대) 40V 현재-최대 20mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.6pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) 100mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지 PG-SOT143-4 |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - 1 Pair Isolated 전압-피크 역방향 (최대) 4V 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F 0.25pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 PIN - 2 Independent 전압-피크 역방향 (최대) 100V 현재-최대 1A 커패시턴스 @ Vr, F 0.3pF @ 5V, 1MHz 저항 @ If, F 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 0505 (1412 Metric) 공급자 장치 패키지 MiniPak 1412 |
