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BAP64LX/Z,315

BAP64LX/Z,315

참조 용

부품 번호 BAP64LX/Z,315
PNEDA 부품 번호 BAP64LX-Z-315
설명 DIODE PIN 60V 150MW DFN1006D-2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,550
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP64LX/Z 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP64LX/Z,315
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP64LX/Z, BAP64LX/Z 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 157.63 KB)
PDFBAP64LX/Z 데이터 시트 표지
BAP64LX/Z 데이터 시트 페이지 2 BAP64LX/Z 데이터 시트 페이지 3 BAP64LX/Z 데이터 시트 페이지 4 BAP64LX/Z 데이터 시트 페이지 5 BAP64LX/Z 데이터 시트 페이지 6 BAP64LX/Z 데이터 시트 페이지 7 BAP64LX/Z 데이터 시트 페이지 8 BAP64LX/Z 데이터 시트 페이지 9 BAP64LX/Z 데이터 시트 페이지 10

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BAP64LX/Z 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)60V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.3pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대)150mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스2-XDFN
공급자 장치 패키지DFN1006D-2

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전압-피크 역방향 (최대)

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20mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.12pF @ 0V, 18GHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

50mW

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Die

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Panasonic Electronic Components

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다이오드 유형

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35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 6V, 1MHz

저항 @ If, F

980mOhm @ 2mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

HMPS-2822-TR2

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

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