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BAP64Q,125

BAP64Q,125

참조 용

부품 번호 BAP64Q,125
PNEDA 부품 번호 BAP64Q-125
설명 RF DIODE PIN 100V 125MW 5TSOP
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $8.9588
100 ---------- $8.5389
250 ---------- $8.1190
500 ---------- $7.6990
750 ---------- $7.3491
1,000 ---------- $6.9991
재고 있음 6,114
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP64Q 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP64Q,125
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP64Q, BAP64Q 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 279.41 KB)
PDFBAP64Q 데이터 시트 표지
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BAP64Q 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - 2 Pair CA + CC
전압-피크 역방향 (최대)100V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대)125mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지5-TSOP

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전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 0V, 100MHz

저항 @ If, F

50Ohm @ 1.5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

7V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

280mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92

1SV249-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.23pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

4.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

3-MCP

ASML-5829-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Pin + Schottky 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

128V, 22V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.375pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

BAT 68-08S E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 3 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

8V

현재-최대

130mA

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

10Ohm @ 5mA, 10kHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

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