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BAP65LX,315

BAP65LX,315

참조 용

부품 번호 BAP65LX,315
PNEDA 부품 번호 BAP65LX-315
설명 RF DIODE PIN 30V 135MW SOD2
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $1.4349
250 ---------- $1.3676
500 ---------- $1.3004
1,000 ---------- $1.2331
2,500 ---------- $1.1771
5,000 ---------- $1.1210
재고 있음 1,002
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP65LX 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP65LX,315
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP65LX, BAP65LX 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 194.64 KB)
PDFBAP65LX 데이터 시트 표지
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BAP65LX 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.37pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F350mOhm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대)135mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SOD-882
공급자 장치 패키지SOD2

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ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.23pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CP

HSMP-3813-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HSMS-285B-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

2V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

BAR6303WE6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

1Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

PG-SOD323-2

BAT 15-02LS E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

패키지 / 케이스

0201 (0603 Metric)

공급자 장치 패키지

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