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BAP70-04W,115

BAP70-04W,115

참조 용

부품 번호 BAP70-04W,115
PNEDA 부품 번호 BAP70-04W-115
설명 RF DIODE PIN 50V 260MW SOT323-3
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $1.8196
250 ---------- $1.7344
500 ---------- $1.6491
1,000 ---------- $1.5638
2,500 ---------- $1.4927
5,000 ---------- $1.4216
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BAP70-04W 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP70-04W,115
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP70-04W, BAP70-04W 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 190.37 KB)
PDFBAP70-04W 데이터 시트 표지
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BAP70-04W 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.3pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대)260mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323-3

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HSMS-286K-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Isolated

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-363

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

20mA

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

200mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

HSMP-3893-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HMPS-2825-TR1

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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