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BAR141E6327HTSA1

BAR141E6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BAR141E6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BAR141E6327HTSA1
설명 RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 72,612
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAR141E6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAR141E6327HTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAR141E6327HTSA1, BAR141E6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 842.42 KB)
PDFBAR161E6327HTSA1 데이터 시트 표지
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  • BAR141E6327HTSA1 Distributor

BAR141E6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형PIN - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)100V
현재-최대140mA
커패시턴스 @ Vr, F0.5pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F12Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)250mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.9Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

300mW

작동 온도

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

5Ohm @ 10mA, 100MHz

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작동 온도

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 0V, 100MHz

저항 @ If, F

50Ohm @ 1.5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.26pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

130mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-882

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 3V, 100MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 200MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

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