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BAR6302WH6327XTSA1

BAR6302WH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BAR6302WH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BAR6302WH6327XTSA1
설명 RF DIODE PIN 50V 250MW SCD80
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,194
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAR6302WH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAR6302WH6327XTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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BAR6302WH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.3pF @ 5V, 1MHz
저항 @ If, F1Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)250mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-80
공급자 장치 패키지SCD-80

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전압-피크 역방향 (최대)

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현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 30V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

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다이오드 유형

PIN - 3 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.2pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

2V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.375pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

350mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

500mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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