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BAS16XV2T5G

BAS16XV2T5G

참조 용

부품 번호 BAS16XV2T5G
PNEDA 부품 번호 BAS16XV2T5G
설명 DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 165,516
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAS16XV2T5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAS16XV2T5G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BAS16XV2T5G, BAS16XV2T5G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 115.82 KB)
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BAS16XV2T5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 150mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)6ns
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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GeneSiC Semiconductor

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 85A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

SF2L6GHB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RS1JDFQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

D-Flat

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BY229-600HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.85V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

145ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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