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BAS20-G3-18

BAS20-G3-18

참조 용

부품 번호 BAS20-G3-18
PNEDA 부품 번호 BAS20-G3-18
설명 DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAS20-G3-18 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAS20-G3-18
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BAS20-G3-18, BAS20-G3-18 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 92.47 KB)
PDFBAS21-G3-08 데이터 시트 표지
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  • BAS20-G3-18 Distributor

BAS20-G3-18 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 200mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1nA @ 15V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

MicroMELF

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

JAN1N6677UR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/610

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SR305 B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

GKR240/04

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

320A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 60A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60mA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AB, DO-9, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AB, DO-9

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

GDP60P120B

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

Amp+™

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

60A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 60A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

3581pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 135°C

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