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BAS21HT1G

BAS21HT1G

참조 용

부품 번호 BAS21HT1G
PNEDA 부품 번호 BAS21HT1G
설명 DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 1,367,238
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 11 - 2월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAS21HT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAS21HT1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BAS21HT1G, BAS21HT1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 168.11 KB)
PDFNSVBAS21HT3G 데이터 시트 표지
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BAS21HT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)250V
전류-평균 정류 (Io)200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 200mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

관심을 가질만한 제품

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.3V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

80ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2.5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F-2L

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

SBR3035

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

SBRT6U45LP-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

520mV @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerUDFN

공급자 장치 패키지

U-DFN3030-8

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

2A03GHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VSB3200-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

175pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

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