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BAS383-TR3

BAS383-TR3

참조 용

부품 번호 BAS383-TR3
PNEDA 부품 번호 BAS383-TR3
설명 DIODE SCHOTTKY 60V 30MA MICROMLF
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,326
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAS383-TR3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAS383-TR3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BAS383-TR3, BAS383-TR3 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 85.43 KB)
PDFBAS383-TR3 데이터 시트 표지
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BAS383-TR3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)60V
전류-평균 정류 (Io)30mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 15mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr200nA @ 60V
커패시턴스 @ Vr, F1.6pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스2-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지MicroMELF
작동 온도-접합125°C (Max)

관심을 가질만한 제품

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

1N4305-1E3

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 10mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

2ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

1N4459

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 15A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AA

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

IDD08SG60CXTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.1V @ 8A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

70µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

240pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

UFS340GE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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