BAS516,L3F
참조 용
| 부품 번호 | BAS516,L3F |
| PNEDA 부품 번호 | BAS516-L3F |
| 설명 | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,200 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BAS516 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BAS516,L3F |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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BAS516 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 250mA |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.25V @ 150mA |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 3ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 200nA @ 80V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-79, SOD-523 |
| 공급자 장치 패키지 | ESC |
| 작동 온도-접합 | 150°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.1V @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 40ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220NFM 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 4000V 전류-평균 정류 (Io) 100mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 10V @ 100mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 4000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 S, Axial 공급자 장치 패키지 S, Axial 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
