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BAT 64-02W E6327

BAT 64-02W E6327

참조 용

부품 번호 BAT 64-02W E6327
PNEDA 부품 번호 BAT-64-02W-E6327
설명 DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SCD80-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAT 64-02W E6327 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAT 64-02W E6327
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BAT 64-02W E6327, BAT 64-02W E6327 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 491.89 KB)
PDFBAT6405WE6327HTSA1 데이터 시트 표지
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BAT 64-02W E6327 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)40V
전류-평균 정류 (Io)120mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)5ns
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F6pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-80
공급자 장치 패키지SCD-80
작동 온도-접합150°C (Max)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2600V

전류-평균 정류 (Io)

1030A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.11V @ 10000A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

40mA @ 2600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AB, B-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 160°C

MBRH12035

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-

1N4002-N-0-3-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-

DSB1A80

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

690mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-

MBR10H100-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

770mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4.5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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