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BAT43WS-TP

BAT43WS-TP

참조 용

부품 번호 BAT43WS-TP
PNEDA 부품 번호 BAT43WS-TP
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD323
제조업체 Micro Commercial Co
단가 견적 요청
재고 있음 4,086
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAT43WS-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAT43WS-TP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BAT43WS-TP, BAT43WS-TP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 342.06 KB)
PDFBAT43WS-TP 데이터 시트 표지
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BAT43WS-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 200mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)5ns
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 25V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323
작동 온도-접합-55°C ~ 125°C

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

520mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

Micro SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

CDBF0320-HF

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

350mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

6.4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1005 (2512 Metric)

공급자 장치 패키지

1005/SOD-323F

작동 온도-접합

125°C (Max)

EGF1A-E3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214BA

공급자 장치 패키지

DO-214BA (GF1)

작동 온도-접합

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

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-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 6A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

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