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BAT5406WH6327XTSA1

BAT5406WH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BAT5406WH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BAT5406WH6327XTSA1
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,020
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BAT5406WH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAT5406WH6327XTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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BAT5406WH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If800mV @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)5ns
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 25V
작동 온도-접합150°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지PG-SOT323-3

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

160mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5nA @ 75V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

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다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 40mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 30V

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

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SMC Diode Solutions

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

810mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 45V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1400V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

950A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

18µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1400V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

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공급자 장치 패키지

Module

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GeneSiC Semiconductor

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1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 20V

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