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BAW56T,115

BAW56T,115

참조 용

부품 번호 BAW56T,115
PNEDA 부품 번호 BAW56T-115
설명 DIODE ARRAY GP 90V 150MA SC75
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,838
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAW56T 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAW56T,115
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
BAW56T, BAW56T 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 835 KB)
PDFBAW56T 데이터 시트 표지
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BAW56T 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)90V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)150mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 150mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 80V
작동 온도-접합150°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지SC-75

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6mA @ 60V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

VS-30CTQ040STRRHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

30CTQ040-1

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

VS-HFA90FA120

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

HEXFRED®

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

45A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.3V @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

75µA @ 1200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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