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BB135,135

BB135,135

참조 용

부품 번호 BB135,135
PNEDA 부품 번호 BB135-135
설명 DIODE UHF VAR CAP 30V SOD323
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,364
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BB135 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BB135,135
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
BB135, BB135 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 122.08 KB)
PDFBB135 데이터 시트 표지
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BB135 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F2.1pF @ 28V, 1MHz
커패시턴스 비율12
커패시턴스 비율 조건C0.5/C28
전압-피크 역방향 (최대)30V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F-
작동 온도-55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323

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커패시턴스 @ Vr, F

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커패시턴스 비율

1.87

커패시턴스 비율 조건

C1/C3

전압-피크 역방향 (최대)

6V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

5.5pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

4.5

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

10V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

MV2105

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

16.5pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

3.2

커패시턴스 비율 조건

C2/C30

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

400 @ 4V, 50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)

공급자 장치 패키지

TO-92

BB131,115

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.055pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

16

커패시턴스 비율 조건

C0.5/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

BB 804 SF3 E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

47.5pF @ 2V, 1MHz

커패시턴스 비율

1.71

커패시턴스 비율 조건

C2/C8

전압-피크 역방향 (최대)

18V

다이오드 유형

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

200 @ 2V, 100MHz

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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