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BB555H7912XTSA1

BB555H7912XTSA1

참조 용

부품 번호 BB555H7912XTSA1
PNEDA 부품 번호 BB555H7912XTSA1
설명 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,478
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BB555H7912XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BB555H7912XTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
BB555H7912XTSA1, BB555H7912XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 905.89 KB)
PDFBB55502VH7912XTSA1 데이터 시트 표지
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  • BB555H7912XTSA1 Distributor

BB555H7912XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F2.3pF @ 28V, 1MHz
커패시턴스 비율9.8
커패시턴스 비율 조건C1/C28
전압-피크 역방향 (최대)30V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-80
공급자 장치 패키지SCD-80

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커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

32V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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커패시턴스 @ Vr, F

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커패시턴스 비율

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커패시턴스 비율 조건

C1/C3

전압-피크 역방향 (최대)

6V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SSMini2-F2

BBY 53-02W E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

3.1pF @ 3V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.6

커패시턴스 비율 조건

C1/C3

전압-피크 역방향 (최대)

6V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

36.3pF @ 2V, 1MHz

커패시턴스 비율

6.5

커패시턴스 비율 조건

C2/C20

전압-피크 역방향 (최대)

25V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

200 @ 3V, 50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MA2SV1500L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

3.23pF @ 2.5V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.55

커패시턴스 비율 조건

C0.5/C2.5

전압-피크 역방향 (최대)

6V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SSMini2-F2

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