BBY5602WH6327XTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BBY5602WH6327XTSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | BBY5602WH6327XTSA1 | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE TUNING 10V 20MA SCD80 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 8,074 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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BBY5602WH6327XTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BBY5602WH6327XTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 배 랙터 다이오드 |
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- BBY5602WH6327XTSA1 Distributor
BBY5602WH6327XTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 12.1pF @ 4V, 1MHz |
| 커패시턴스 비율 | 3.3 |
| 커패시턴스 비율 조건 | C1/C3 |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 10V |
| 다이오드 유형 | Single |
| Q @ Vr, F | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-80 |
| 공급자 장치 패키지 | SCD-80 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 42pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 2.8 커패시턴스 비율 조건 C3/C30 전압-피크 역방향 (최대) 32V 다이오드 유형 1 Pair Common Cathode Q @ Vr, F 140 @ 3V, 100MHz 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 1.5pF @ 10V, 1MHz 커패시턴스 비율 2.8 커패시턴스 비율 조건 C2/C10 전압-피크 역방향 (최대) 12V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-80 공급자 장치 패키지 SSMini2-F2 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 2.9pF @ 28V, 1MHz 커패시턴스 비율 23.2 커패시턴스 비율 조건 C1/C28 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-80 공급자 장치 패키지 SCD-80 |
