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BBY5802WH6327XTSA1

BBY5802WH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BBY5802WH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BBY5802WH6327XTSA1
설명 DIODE TUNING 10V 20MA SCD80
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BBY5802WH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BBY5802WH6327XTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드

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  • BBY5802WH6327XTSA1 Distributor

BBY5802WH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F5.5pF @ 6V, 1MHz
커패시턴스 비율3.5
커패시턴스 비율 조건C1/C4
전압-피크 역방향 (최대)10V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-80
공급자 장치 패키지SCD-80

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커패시턴스 비율

17.8

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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커패시턴스 @ Vr, F

22.7pF @ 8V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.25

커패시턴스 비율 조건

C2/C8

전압-피크 역방향 (최대)

18V

다이오드 유형

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

200 @ 2V, 100MHz

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MMVL809T1G

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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커패시턴스 @ Vr, F

6.1pF @ 2V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.6

커패시턴스 비율 조건

C2/C8

전압-피크 역방향 (최대)

20V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

75 @ 3V, 500MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

MMBV409LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

32pF @ 3V, 1MHz

커패시턴스 비율

1.9

커패시턴스 비율 조건

C3/C8

전압-피크 역방향 (최대)

20V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

200 @ 3V, 50MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

BB689H7912XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.9pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

23.2

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

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