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BC183LC_D27Z

BC183LC_D27Z

참조 용

부품 번호 BC183LC_D27Z
PNEDA 부품 번호 BC183LC_D27Z
설명 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,142
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC183LC_D27Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC183LC_D27Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC183LC_D27Z, BC183LC_D27Z 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 122.8 KB)
PDFBC183LC_D27Z 데이터 시트 표지
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BC183LC_D27Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 10µA, 5V
전력-최대350mW
주파수-전환150MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

250nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

전력-최대

300mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

BD13910STU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

JAN2N3715

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/408

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 2A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 3A, 2V

전력-최대

5W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3 (TO-204AA)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

QST3TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 40mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 500mA, 2V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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