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BC32725TF

BC32725TF

참조 용

부품 번호 BC32725TF
PNEDA 부품 번호 BC32725TF
설명 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC32725TF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC32725TF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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BC32725TF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
전력-최대625mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

550V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400µA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

전력-최대

75W

주파수-전환

12MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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TO-220

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

420mW

주파수-전환

145MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-PowerUDFN

공급자 장치 패키지

3-HUSON (2x2)

MJW18020G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 4A, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

14 @ 3A, 5V

전력-최대

250W

주파수-전환

13MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

BC638-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

전력-최대

830mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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