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BC557BU

BC557BU

참조 용

부품 번호 BC557BU
PNEDA 부품 번호 BC557BU
설명 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,128
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC557BU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC557BU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC557BU, BC557BU 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 349.41 KB)
PDFBC560_J35Z 데이터 시트 표지
BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 2 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 3 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 4 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 5 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 6 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 7 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 8 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 9 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 10

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BC557BU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce110 @ 2mA, 5V
전력-최대500mW
주파수-전환150MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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제조업체

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

250mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-UFDFN

공급자 장치 패키지

3-DFN1006 (1.0x0.6)

JANTX2N2481

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2SD571(1)-T(ND)-AZ

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2SD2206(T6CANO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

2SC5053T100Q

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 3V

전력-최대

2W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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