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BC636_J35Z

BC636_J35Z

참조 용

부품 번호 BC636_J35Z
PNEDA 부품 번호 BC636_J35Z
설명 TRANS PNP 45V 1A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC636_J35Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC636_J35Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC636_J35Z, BC636_J35Z 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 292.61 KB)
PDFBC636_J35Z 데이터 시트 표지
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BC636_J35Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 2V
전력-최대1W
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BC857B-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

310mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

JANTX2N5153L

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/545

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-5

BC237BBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSC3503CS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

전력-최대

7W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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