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BC639,126

BC639,126

참조 용

부품 번호 BC639,126
PNEDA 부품 번호 BC639-126
설명 TRANS NPN 80V 1A TO-92
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,996
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC639 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC639,126
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC639, BC639 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 153.66 KB)
PDFBC639 데이터 시트 표지
BC639 데이터 시트 페이지 2 BC639 데이터 시트 페이지 3 BC639 데이터 시트 페이지 4 BC639 데이터 시트 페이지 5 BC639 데이터 시트 페이지 6 BC639 데이터 시트 페이지 7 BC639 데이터 시트 페이지 8 BC639 데이터 시트 페이지 9 BC639 데이터 시트 페이지 10 BC639 데이터 시트 페이지 11

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BC639 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce63 @ 150mA, 2V
전력-최대830mW
주파수-전환180MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 35mA, 700mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 50mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

320MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-96

공급자 장치 패키지

TSMT3

KSA1015OBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 6V

전력-최대

400mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

JANTX2N6298

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/540

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 80mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

전력-최대

64W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-213AA, TO-66-2

공급자 장치 패키지

-

BC337-25-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

200nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

210MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92

TIP36AG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 5A, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 15A, 4V

전력-최대

125W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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