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BC807-40QAZ

BC807-40QAZ

참조 용

부품 번호 BC807-40QAZ
PNEDA 부품 번호 BC807-40QAZ
설명 TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 42,792
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC807-40QAZ 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC807-40QAZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC807-40QAZ, BC807-40QAZ 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 892.75 KB)
PDFBC807-25QAZ 데이터 시트 표지
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BC807-40QAZ 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 500mA, 1V
전력-최대900mW
주파수-전환80MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지DFN1010D-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BCX56-10,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

180MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

JANSR2N2222A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/255

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18 (TO-206AA)

MJF2955G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

90V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 3.3A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

2MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

2N6251

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

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