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BC817-40QAZ

BC817-40QAZ

참조 용

부품 번호 BC817-40QAZ
PNEDA 부품 번호 BC817-40QAZ
설명 TRANS NPN 45V 0.5A DFN1010D-3
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 580,776
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC817-40QAZ 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC817-40QAZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC817-40QAZ, BC817-40QAZ 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 874.72 KB)
PDFBC817-25QAZ 데이터 시트 표지
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BC817-40QAZ 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 500mA, 1V
전력-최대900mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지DFN1010D-3

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BC817-40,215

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

BCX70G,215

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

20nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

TTA0002(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 900mA, 9A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

전력-최대

180W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PL

공급자 장치 패키지

TO-3P(L)

MJE200TSTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.8V @ 1A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

45 @ 2A, 1V

전력-최대

15W

주파수-전환

65MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

FJP5027TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

800V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 300mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

전력-최대

50W

주파수-전환

15MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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