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BC858W,135

BC858W,135

참조 용

부품 번호 BC858W,135
PNEDA 부품 번호 BC858W-135
설명 TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 6,858
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC858W 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC858W,135
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC858W, BC858W 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 369.5 KB)
PDFBC857CW/MIX 데이터 시트 표지
BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 2 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 3 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 4 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 5 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 6 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 7 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 8 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 9 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 10 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 11

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BC858W 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce125 @ 2mA, 5V
전력-최대200mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SC-70

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

210MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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TO-92-3

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제조업체

TT Electronics/Optek Technology

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

0.5mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

TP

NJVMJD210T4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.8V @ 1A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

45 @ 2A, 1V

전력-최대

1.4W

주파수-전환

65MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Rohm Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN + Diode (Isolated)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 25mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V

전력-최대

200mW

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