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BC858W,135

BC858W,135

참조 용

부품 번호 BC858W,135
PNEDA 부품 번호 BC858W-135
설명 TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 6,858
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 22 - 2월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC858W 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC858W,135
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC858W, BC858W 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 369.5 KB)
PDFBC857CW/MIX 데이터 시트 표지
BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 2 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 3 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 4 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 5 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 6 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 7 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 8 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 9 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 10 BC857CW/MIX 데이터 시트 페이지 11

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BC858W 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce125 @ 2mA, 5V
전력-최대200mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SC-70

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300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

전력-최대

225mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

STMicroelectronics

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 3A, 4V

전력-최대

80W

주파수-전환

20MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

BC848CMTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

310mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

210MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

FML10T148

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Rohm Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN + Diode (Isolated)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 25mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V

전력-최대

200mW

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작동 온도

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Surface Mount

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