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BCM53DSF

BCM53DSF

참조 용

부품 번호 BCM53DSF
PNEDA 부품 번호 BCM53DSF
설명 BCM53DS/SOT457/SC-74
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 94,920
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCM53DSF 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCM53DSF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
BCM53DSF, BCM53DSF 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 239.28 KB)
PDFBCM53DSX 데이터 시트 표지
BCM53DSX 데이터 시트 페이지 2 BCM53DSX 데이터 시트 페이지 3 BCM53DSX 데이터 시트 페이지 4 BCM53DSX 데이터 시트 페이지 5 BCM53DSX 데이터 시트 페이지 6 BCM53DSX 데이터 시트 페이지 7 BCM53DSX 데이터 시트 페이지 8 BCM53DSX 데이터 시트 페이지 9 BCM53DSX 데이터 시트 페이지 10 BCM53DSX 데이터 시트 페이지 11

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BCM53DSF 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형2 PNP (Dual) Matched Pair
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce63 @ 150mA, 2V
전력-최대500mW
주파수-전환140MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지6-TSOP

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160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

전력-최대

700mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

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Microsemi

제조업체

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시리즈

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2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

-

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-78-6 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-78-6

ZXTD617MCTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

310mV @ 50mA, 4.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V

전력-최대

1.7W

주파수-전환

80MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

W-DFN3020-8

MMDT3904-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

200mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

JANTX2N6990

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/559

트랜지스터 유형

4 NPN (Quad)

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

400mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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