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BCM56DSX

BCM56DSX

참조 용

부품 번호 BCM56DSX
PNEDA 부품 번호 BCM56DSX
설명 BCM56DS/SOT457/SC-74
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 8,838
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCM56DSX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCM56DSX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
BCM56DSX, BCM56DSX 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 239.38 KB)
PDFBCM56DSX 데이터 시트 표지
BCM56DSX 데이터 시트 페이지 2 BCM56DSX 데이터 시트 페이지 3 BCM56DSX 데이터 시트 페이지 4 BCM56DSX 데이터 시트 페이지 5 BCM56DSX 데이터 시트 페이지 6 BCM56DSX 데이터 시트 페이지 7 BCM56DSX 데이터 시트 페이지 8 BCM56DSX 데이터 시트 페이지 9 BCM56DSX 데이터 시트 페이지 10 BCM56DSX 데이터 시트 페이지 11

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BCM56DSX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형2 NPN (Dual) Matched Pair
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce63 @ 150mA, 2V
전력-최대500mW
주파수-전환155MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지6-TSOP

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전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

1W

주파수-전환

450MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

1.5GHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

UMT6

NSVEMT1DXV6T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500pA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

500mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

VT6T1T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

150mW

주파수-전환

350MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

VMT6

ZXTC2061E6TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A, 3.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V

전력-최대

1.1W

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작동 온도

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